拿命搞科研，我直接无敌了

　　头是整个光刻机中最难制造的部分。

　　而系统之所以将光源放在最后的原因。

　　多半是由于它需要用到高抛光度的镜头而已。

　　可随着相关所有知识一股脑的涌入。

　　王为才知道，这也相当的不简单呐！

　　难怪阿麦斯的最新一代euv光刻机，即使20亿一台，都供不应求。

　　每一部分所需要的零部件都代表着世界上最顶级的技术，极难生产出来！

　　量产更是遥遥无期！

　　年产量最多不超过60台的它，简直要比那些限量版跑车还要抢手！

　　要知道，高能光源是实现大规模量产并降低成本的前提和保障。

　　而且，由于要同时满足euv光刻胶对分辨率和线宽粗糙度的需求，光源的功率需要不断提高。

　　功率＞115w的光源可以确保涂有敏感度为5mj/cm2光刻胶的硅片的产能＞100片/h，而对于敏感度达到10mj/cm2的光刻胶就需要180w的光源而敏感度高于20mj/cm2的光刻胶甚至需要200w以上的光源以满足量产需求。

　　由此可知，为了满足未来euv光刻技术的发展需要，其光源结构也必须能够支持升级换代。

　　目前euv曝光光刻设备使用的是两种光源。

　　一种叫dpp，是低功率辉光放电等离子体光源，另一种就是lpp，也就是激光等离子体光源。

　　前者不能够满足大规模量产的需求，而后者由于其具备高功率输出的优势最有希望担负起euv光刻技术量产的大任。

　　进而继193nm浸没式光刻技术后成为ics制造领域的主流光刻技术。

　　euv光源要能够达到实用，在照明系统的入口处，在波长为13.5nm带宽为2％的范围内，需要115w的euv输出功率。

　　但系统所发布可是极紫外线波长为10nm的光源系统。

　　毕竟，波长越短，能量就越大。

　　这是一个常识！

　　无疑，这可以进一步提高输出功率从而提高输入功率。

　　最后得到高转换效率的实现。

　　不过相应的，也就增加了王为研究的难度。

　　这让他禁不住自顾叹气道。

　　“唉，难难难，任务之难…”

　　“还是没睡一觉难！”